IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon et IPD60R210PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,54
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA —
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMT)
Niveau MSL 1 —
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Statut RoHS Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Fiches techniques et ressources

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