IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon e IPD60R210PFD7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,54
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA —
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMT)
Nível MSL 1 —
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Status RoHS Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Fichas técnicas e recursos

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