IPD65R380E6ATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD65R380E6ATMA1 par Infineon et IPD028N06NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD028N06NF2SATMA1 - 60V 139A 2.85mΩ OptiMOS N-MOSFET | Infineon
IPD028N06NF2SATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD65R380E6ATMA1 | IPD028N06NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Number | — | IPD028N06NF2SATMA1 |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 60V |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 139 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.85 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 150 W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain-tab, Source) |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |