IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD65R380E6ATMA1 par Infineon et IPD60R360P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD65R380E6ATMA1 IPD60R360P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 CoolMOS P7
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD20)
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 360 mΩ
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C — 41 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Storage Temperature — -55°C to +150°C
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ — 3.5 V (typ)
ESD Protection (HBM) — >2 kV (per datasheet)
RoHS Compliance — Compliant
Qualification — Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22)

Fiches techniques et ressources

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