IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon e IPD60R360P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD65R380E6ATMA1 IPD60R360P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 CoolMOS P7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD20)
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 360 mΩ
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C — 41 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Storage Temperature — -55°C to +150°C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ — 3.5 V (typ)
ESD Protection (HBM) — >2 kV (per datasheet)
RoHS Compliance — Compliant
Qualification — Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22)

Fichas técnicas e recursos

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