IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD65R380E6ATMA1 par Infineon et IPD60R360P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD65R380E6ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | CoolMOS P7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |