IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70R1K4P7SAUMA1 par Infineon et IPN70R1K4P7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPN70R1K4P7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Series | — | CoolMOS P7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | — | 6.2 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| DPAK Footprint Compatible | — | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |