IPD80R600P7ATMA1 vs IPD80R2K4P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et IPD80R2K4P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD80R600P7ATMA1 | IPD80R2K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $1,05 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction |
| Polarity | N-Channel | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Number | — | IPD80R2K4P7ATMA1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 2.5 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 22 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 2000 mOhm |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Pins | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single |
| Part Status | — | Active |