IPD80R600P7ATMA1 vs IPD80R750P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et IPD80R750P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD80R600P7ATMA1 | IPD80R750P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,42 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | 3.5 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS (Super-Junction) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Part Number | — | IPD80R750P7ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 7 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 750 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 51 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Protection | — | Integrated Zener (ESD protected) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1) |
| Statut RoHS | — | Compliant |