IPD90N03S4L02ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N03S4L02ATMA1 par Infineon et BSC014N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD90N03S4L02ATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,58 | $0,89 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | 2.2 mΩ | — |
| RDS(on) Max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 4.5 V to 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical value] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Green Package) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Series | OptiMOS-T2 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 156 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |