IPD90N04S403ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N04S403ATMA1 par Infineon et IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90N04S403ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Niveau MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100% (60 A production test)
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) MOSFET (Metal Oxide)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Statut RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

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