IPD90N04S403ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90N04S403ATMA1 por Infineon e IPC70N04S5L4R2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90N04S403ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Nível MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100% (60 A production test)
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) MOSFET (Metal Oxide)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Status RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Fichas técnicas e recursos

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