IPD90N04S403ATMA1 vs IPD50N03S4L06ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N04S403ATMA1 par Infineon et IPD50N03S4L06ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90N04S403ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A 50 A
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55 C to +175 C
Niveau MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1 (up to 260 C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
On-State Resistance (R_DS(on) max) — 5.5 mOhm at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 2.2 V
Total Gate Charge (Q_g) — 31 nC at V_GS = 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 2.33 nF
Output Capacitance (C_oss) — 600 pF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 34 pF
Power Dissipation (P_D) — 56 W at Tc = 25 C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Statut RoHS — Compliant (Green Package)

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