IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon et IPG20N04S4L08ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,89
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Statut RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS-T2 trench —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
Température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

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