IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon e IPG20N04S4L08ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,89
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Status RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS-T2 trench —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
Temperatura de operação — -55°C to +175°C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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