IPG20N06S2L65AATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S2L65AATMA1 par Infineon et BSZ065N03LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N06S2L65AATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS 30V |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Niveau MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| Boîtier / Format | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |