IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S2L65ATMA1 par Infineon et BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N06S2L65ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $1,24 |
| FET Type | Dual N-Channel, Logic Level | — |
| Technology | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A per channel | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 65 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 43 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Statut RoHS | — | Compliant |