IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S2L65ATMA1 par Infineon et IPG20N06S2L65AATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N06S2L65ATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,78 |
| FET Type | Dual N-Channel, Logic Level | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Technology | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) | OptiMOS Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A per channel | 20 A (per channel) |
| RDS(on) at VGS=10V | 65 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 43 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |