IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R060CFD7AUMA1 par Infineon et IPD60R210PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,03 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CFD7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C -55C to +150C (TJ)
Boîtier PG-VSON-4-1 (Surface Mount) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMT)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Statut RoHS Compliant —
Product Family — CoolMOS PFD7
Technology — Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Fiches techniques et ressources

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