IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPL60R060CFD7AUMA1 メーカー: Infineon および IPD60R210PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.03 $0.54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CFD7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
動作温度範囲 -40 °C to +150 °C -55C to +150C (TJ)
パッケージ PG-VSON-4-1 (Surface Mount) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (SMT)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS ステータス Compliant —
Product Family — CoolMOS PFD7
Technology — Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼