IPL60R105P7AUMA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R105P7AUMA1 par Infineon et IPA60R180P7SXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R105P7AUMA1 | IPA60R180P7SXKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 180 mOhm (max at 25C) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 26 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Configuration | — | Single |