IPL60R105P7AUMA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPL60R105P7AUMA1 제조: Infineon 및 IPA60R180P7SXKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPL60R105P7AUMA1 | IPA60R180P7SXKSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $0.74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| 패키지 | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Through Hole |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 180 mOhm (max at 25C) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 26 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Configuration | — | Single |