IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R065P7AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R105P7AUMA1 par Infineon et IPL60R065P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R105P7AUMA1 | IPL60R065P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) |
| Boîtier | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology Family | — | CoolMOS™ P7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | — | 41 A |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 65 mΩ (max) |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | — | 201 W |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) | — | 2895 pF |
| Rise Time (t<sub>r</sub>) | — | 7 ns |
| Fall Time (t<sub>f</sub>) | — | 4 ns |
| Nombre de broches | — | 4 |
| Polarity | — | Single N-channel |
| Drain to Source Voltage | — | 650 V (rating per AiEMA spec) |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) | — | 0.053 Ω |