IPL60R125P7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R125P7AUMA1 par Infineon et IPW60R037P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R125P7AUMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,95 | $3,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 27 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 125 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 36 nC | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | 36 nC | — |
| Output Capacitance Coss (typ) | [DATA_NEEDED: Coss value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th), typ | 3.5 V | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Pin Configuration | Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 | — |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |