IPL60R125P7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPL60R125P7AUMA1 제조: Infineon 및 IPW60R037P7XKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPL60R125P7AUMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.95 | $3.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 27 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 125 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 36 nC | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | 36 nC | — |
| Output Capacitance Coss (typ) | [DATA_NEEDED: Coss value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th), typ | 3.5 V | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| 패키지 | ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Through Hole |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Pin Configuration | Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 | — |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |