IPL60R180P6AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R180P6AUMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R180P6AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $0,82
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Boîtier PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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