IPLU300N04S41R1XTMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPLU300N04S41R1XTMA1 par Infineon et ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPLU300N04S41R1XTMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,45 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPLU300N04S41R1XTMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 300 A | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 300 W | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) | 1.15 mΩ | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 151 nC | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) | 12,090 pF | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Température de jonction en fonctionnement | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature (AEC-Q) | 260 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | Yes (Green Product) | — |
| Lead-Free | Yes (100% lead-free) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Packing | Tape & Reel (TR) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 288 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |