IPN70R2K0P7SATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN70R2K0P7SATMA1 par Infineon et IPD60R1K0PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN70R2K0P7SATMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 6 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typical) | ±20 V (max gate-source) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (TJ) |
| Boîtier | PG-SOT223 (3 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated ESD Diode | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant (ROHS3) | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |
| Series | — | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |