IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN80R4K5P7ATMA1 par Infineon et IPN60R2K0PFD7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN80R4K5P7ATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,30 $0,28
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Boîtier PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS superjunction
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Statut RoHS Compliant Compliant (per Newark listing)
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS PFD7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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