IPP037N08N3GXKSA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP037N08N3GXKSA1 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP037N08N3GXKSA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,32 | $1,31 |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.75 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 6 V, 10 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 214 W | — |
| Boîtier | PG-TO220-3 (Through Hole) | — |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Boîtier / Format | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| Lead-Free | — | Yes |