IPP60R190P6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R190P6XKSA1 par Infineon et IPB60R190C6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP60R190P6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,02 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) MOSFET | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | 190 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 151 W | — |
| Boîtier | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | Not applicable (through-hole) | 1 |
| Product Variant | XKSA1 (industrial grade, tube pack) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |