IPT012N08N5ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT012N08N5ATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT012N08N5ATMA1 | IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,32 | $5,40 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT012N08N5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.2 mOhm | — |
| Total Gate Charge QG | 208 nC | — |
| Gate-to-Drain Charge QGD | 178 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 375 W | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (TJ max) | -55C to +175C |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Qualification | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) | Automotive (AEC-Q101) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 410 A (Tj) |
| R_DS(on) max | — | 1.10 mOhm at V_GS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 231 nC at V_GS=10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 16.25 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 2.6 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 130 pF |
| Power Dissipation (P_D) | — | 375 W at T_C=25C |
| Niveau MSL | — | 1 |