IPT015N10NF2SATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon et BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10NF2SATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $0,68
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 5 (N-channel trench)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Énergie d'avalanche à impulsion unique [DATA_NEEDED: EAS value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fiches techniques et ressources

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