IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon et IPB020N08N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10NF2SATMA1 IPB020N08N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $1,45
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Énergie d'avalanche à impulsion unique [DATA_NEEDED: EAS value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W]
Avalanche Energy Rated (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]
Configuration — Single N-channel, 3-pin (2+Tab)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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