IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPT015N10NF2SATMA1 제조: Infineon 및 IPB020N08N5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPT015N10NF2SATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $1.45 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| 단일 펄스 애벌런치 에너지 | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |