IPT022N10NF2SATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT022N10NF2SATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT022N10NF2SATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family StrongIRFET 2 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 236 A —
Typical RDS(on) at VGS=10V 2.2 mΩ —
Power Dissipation at Ta 3.8 W —
Power Dissipation at Tc 250 W —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55°C to +175°C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Series — Automotive OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Fiches techniques et ressources

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