IPTC017N12NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPTC017N12NM6ATMA1 par Infineon et IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPTC017N12NM6ATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,95 | $1,85 |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | — |
| Boîtier | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ max) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| Nombre de broches | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |