IPTG025N15NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon et IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPTG025N15NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,52 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-HSOF-8 (TOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) —
Statut RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Nombre de broches — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

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