IPTG025N15NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPTG025N15NM6ATMA1 por Infineon e IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPTG025N15NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,52 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulamento PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-HSOF-8 (TOLL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) —
Status RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Temperatura de operação — -55C to +175C
Contagem de pinos — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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