IPTG025N15NM6ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon et IPT067N20NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPTG025N15NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,52 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W 300 W
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55C to +150C (junction)
Statut RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Product Family — OptiMOS 6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

Fiches techniques et ressources

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