IPTG025N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon et ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPTG025N15NM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,52 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 264 A (pulsed) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 395 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ | 2.5 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Boîtier | PG-HSOG-8-1 (TOLG) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Solder Joint Reliability | Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Niveau MSL | — | 1 |