IPTG025N15NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPTG025N15NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISZ072N06NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTG025N15NM6ATMA1 ✓ 生産中
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ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPTG025N15NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.52 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
パッケージ PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55C to +175C ( Tj max 175C )
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
消費電力(TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
MSLレベル — 1

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