IPW60R037P7XKSA1 vs IPD60R360P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPW60R037P7XKSA1 par Infineon et IPD60R360P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPW60R037P7XKSA1 IPD60R360P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS P7
Type de transistor N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Boîtier PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Statut RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 360 mΩ
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C — 41 W
Storage Temperature — -55°C to +150°C
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ — 3.5 V (typ)
ESD Protection (HBM) — >2 kV (per datasheet)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD20)
RoHS Compliance — Compliant
Qualification — Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22)

Fiches techniques et ressources

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