IPW60R080P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPW60R080P7XKSA1 par Infineon et IPA60R190C6XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPW60R080P7XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS C6 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |