IPW60R080P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPW60R080P7XKSA1 por Infineon e IPA60R190C6XKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPW60R080P7XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,65 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS C6 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |