IQD005N04NM6ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD005N04NM6ATMA1 par Infineon et BSC019N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD005N04NM6ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 58 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 610 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.5 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis