IQD009N06NM5ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD009N06NM5ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD009N06NM5ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,96 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (Tc) 445 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
RDS(on) Maximum 0.9 mΩ @ VGS = 10 V —
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
Température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis