IQD009N06NM5ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQD009N06NM5ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQD009N06NM5ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,96 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 42 A —
Continuous Drain Current (Tc) 445 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
RDS(on) Maximum 0.9 mΩ @ VGS = 10 V —
Encapsulamento PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
Temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Fichas técnicas e recursos

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