IQD009N06NM5SCATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD009N06NM5SCATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD009N06NM5SCATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Boîtier PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL classification] —
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fiches techniques et ressources

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