IQD009N06NM5SCATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQD009N06NM5SCATMA1 제조: Infineon 및 IPD50N06S409ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQD009N06NM5SCATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.42 | $0.49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 445 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| 패키지 | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL classification] | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (suffix SCATMA1) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| 핀 수 | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |